1a)Thì ta thấy độ âm điện của F, Cl,Br lớn hơn P chỉa có I là thua P nên góc IPI lớn nhất sau đó tới góc BrPBr, ClPCl cuối cùng FPF.
1b)Ta thấy độ âm điện của C lớn hơn của Si nên ta thấy góc CNC nhỏ hơn góc SiNSi
1c)Do B còn có obital trống tạo được liên kết pi nên nhăng lượng liên kết của nó lớn hơn
Còn bài 3a) ta thấy góc BrSiBr và BrCBr thì Si có độ âm điện nhỏ hơn C nên BrCBr lớn hơn góc BrCBr còn BrCBr Và CCC độ âm điện của C nhỏ hơn Br nên góc CCC lớn hơn góc BrCBr.
|